【摘 要】
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为解决垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS器件）模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室
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为解决垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS器件）模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体（NMOS）与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管（JFET）耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值
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