12顶点[1-R-CB11-Me11]-碳硼烷氧化-还原过程二阶NLO效应的理论研究

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采用密度泛函理论(DFT)对12顶点[1-R—CBlrMe11]一碳硼烷的结构和二阶非线性光学(NLO)调节效应进行计算分析.结果表明,C位连接的取代基R供、吸电子能力的不同以及分子发生可逆氧化-还原反应对分子构型有一定影响.由自然键轨道(NBO)电荷和电子自旋密度分析可知,分子的氧化中心是碳硼笼,分子的氧化反应可导致碳硼笼部分给、受体特性发生改变.氧化态分子的第一超极化率总有效值(βtat)大于相应还原态分子,当C位取代基R为供电子基团(-NH2)的分子时,氧化态与还原态的卢。值变化最大.这类分子的氧化
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