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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对光伏材料Cu2ZnSnS4(CZTS)掺Mg进行了研究。通过建立Mg取代CZTS中Cu、Zn和Sn的点缺陷结构,计算Mg掺杂缺陷的生成能及对CZTS电子结构的影响。计算结果表明掺Mg不引入深能级缺陷也不改变材料的禁带宽度;并且富Sn条件更有利于Mg取代Cu形成施主缺陷,使p型转变为n型。本研究可为CZTS太阳能电池掺Mg的应用研究提供理论基础。