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建立了双栅MOS器件反型层积分电荷Qi的集约模型．该模型考虑了反型层载流子的量子限制效应，使其适用于纳米尺度的器件应用．基于以前关于Ge的研究，通过建立关于Qi的表面势表达式，可得到一个隐含Qi的方程，从而求得Qi的值．将该模型计算结果与目前已发表的模型计算结果以及自洽求解一维泊松方程和薛定锷方程的数值模拟程序Schred的模拟结果进行了比较．结果表明，该模型在较大的硅层厚度变化范围内均与数值模拟程序的计算结果吻合得很好，显示出其相对与目前发表的其他模型的优越性．