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硅半导体器件、特别是大规模集成电路的可靠性，在很大程度上取决于硅片表面的加工质量。为了获得表面加工质量较好的硅片，除了改善加工方法外，还必须建立起一种较为灵敏的检测手段，才能比较真实地反映硅片表面的加工状态。基于此，本文将着重分析探讨切割单晶及多晶硅片表面层损伤，以期能为以后的实际工作起到一定的借鉴作用。