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通过一种简便可行的合成工艺，成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体：无水硝酸钛、硝酸锆和硝酸铪。以这些无水金属硝酸盐为前体，采用化学气相沉积（CVD）工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数（high—k）氧化物薄膜：TiO2、ZrO2和HfO2薄膜。这类不含碳的金属前体能直接在Si衬底上气相沉积，无需引入氧化气体，且沉积温度较低，可避免低介电常数界面层生成，在化学气相沉积栅介质薄膜方面独具优势。