【摘 要】
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采用有限元方法,应用ANSYS软件,模拟不同内电极结构和不同端电极厚度的RFMLCC在热冲击时的热应力分布。模拟结果显示:端电极倒角处、银电极与内电极引出端的接触处所受vonmis
【机 构】
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成都电子科技大学微电子与固体电子学院
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采用有限元方法,应用ANSYS软件,模拟不同内电极结构和不同端电极厚度的RFMLCC在热冲击时的热应力分布。模拟结果显示:端电极倒角处、银电极与内电极引出端的接触处所受vonmises热应力较大,是热应力下RFMLCC结构中最薄弱的部位;结构中的峰值热应力随温度循环次数的增加而增加,五次循环后的热应力约为首次循环的4.5倍;悬浮内电极结构银电极上的最大热应力远小于正常内电极结构;增加银电极厚度可以大大减小热应力,对于13层悬浮内电极结构的RFMLCC,银电极厚度增加一倍,其所受热应力最大值减少约50%。本次仿真结合了自由划分和映射划分,并且多次局部细化网格,消除了畸形网格,使得各次仿真的能量准则百分比误差均小于2%。为分析RFMLCC热失效机制、优化结构、提高其可靠性提供了理论依据。
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