【摘 要】
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针对应用于850nm光通信中的10／100Mbit／s收发器，提出采用0．5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成。整体芯片面积为0．6—0，共集成了一个双光电二极管的（DPD）光电探测器和一
【机 构】
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厦门大学物理与机电工程学院机电工程系
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针对应用于850nm光通信中的10／100Mbit／s收发器，提出采用0．5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成。整体芯片面积为0．6—0，共集成了一个双光电二极管的（DPD）光电探测器和一个跨阻前置放大电路，功耗为100mw，并给出了具体的测试性能结果。结果表明，在850nm光照下，光接收芯片带宽达到53MHz，工作速率为72Mbit／s。重点介绍了DPD光电探测器的原理和结构，并给出了相应的制造过程和电路等效模型，对整个光接收芯片进行了多种实用性测试，可以满足系统的性能要求。
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