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为了解决化学机械抛光（CMP）工艺带来的芯片平整性问题，集成电路制造工艺越来越多地选择向电路版图中填充金属哑元，然而，电路中的大量金属哑元大幅增加了互连线的寄生电容值．在提取含大量哑元电路的寄生电容时，传统寄生电容提取算法的效率会受到明显影响．提出了一种基于随机行走的寄生电容提取算法，利用区域分解技术，将哑元区域划分为多个子区域，通过对具有相同结构的标准子区域建立宏模型，并计算其马尔可夫转移矩阵，利用转移概率实现哑元区域内的“行走”．同传统算法相比，在保证提取精度的前提下，方法具有更快的提取速度．此外，宏