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采用热分解法在360℃制备了Ti/IrO2-SnO2-xCeO2（摩尔分数）电极，通过 X射线衍射（XRD）、交流阻抗（EIS）和循环稳定实验分析CeO2含量对 Ti/IrO2-SnO2-xCeO2涂层组织、电容性能、频率响应特性和循环稳定性的影响。结果表明：CeO2可抑制IrO2-SnO2晶化，随CeO2含量的增加，IrO2-SnO2的晶化程度逐渐下降。含20% CeO2电极比电容可达505.7 F/g，是同频率下Ti/IrO2-SnO2电极的3倍。CeO2含量不超过20%时，对电极的传荷电阻Rct及弛