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集中讨论 MCT 光导芯片电阻率随时间变化的问题。研究结果表明:MCT芯片中 Hg 原子的逐渐逸出导致了材料组分即 x 值随时间变化,这是芯片室温电阻率变化的主要原因;另外,在某些条件下(如加温),芯片表面可形成高浓度的 n 型载流子薄层,也将引起芯片的室温电阻率的变化。
HgCdTe光导芯片室温电阻率不稳定问题探讨
【摘 要】
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集中讨论 MCT 光导芯片电阻率随时间变化的问题。研究结果表明:MCT芯片中 Hg 原子的逐渐逸出导致了材料组分即 x 值随时间变化,这是芯片室温电阻率变化的主要原因;另外,在某
【机 构】
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昆明物理研究所昆明650223工程师
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1993年2期
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