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本文通过案例和实验，概述了叫种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT—MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。
IGBT及其子器件的几种失效模式
【摘 要】
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本文通过案例和实验，概述了叫种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT—MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。
【机 构】
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北京电力电子学会
【出 处】
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电力电子
【发表日期】
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2006年5期
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