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对ＧａＮ样品薄膜进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼散射测试与分析，其样品分别是在不同衬底上以金属有机物气相沉积（ＭＯＣＶＤ）法和分子束外延（ＭＢＥ）法生长的，观测到了纤锌矿结构ＧａＮ的允许模式Ａ１（ＬＯ）模和Ｅ２（高）模，同时也观测到了一些禁戒模式，结果表明：受激喇曼散射是研究ＧａＮ结构的一种有效手段。