【摘 要】
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借助脉冲激光沉积和原子层沉积系统,采用SiO2作为隧穿氧化物,Al2O3作为阻挡氧化物,制备了多层HfO2/Al2O3薄膜基电荷陷阱存储器件.实验发现,当电极偏压为±12 V时,存储窗口达
【机 构】
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安阳师范学院物理与电气工程学院 安阳455000南京大学材料科学与工程系 南京290093;
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借助脉冲激光沉积和原子层沉积系统,采用SiO2作为隧穿氧化物,Al2O3作为阻挡氧化物,制备了多层HfO2/Al2O3薄膜基电荷陷阱存储器件.实验发现,当电极偏压为±12 V时,存储窗口达到7.1V,电荷存储密度约为2.5×1013 cm-2.HfO2/Al2O3之间的界面在电荷存储过程中起着关键的作用,更多的电荷存储在界面的陷阱之上.经过3.6× 104s的保持时间,25,85和150℃测试温度下,器件的电荷损失量分别为5％,12％和23.5％.线性外推实验数据得到,150℃下,经过10年的电荷损失量约为42％.器件优异的保持性能主要归因于HfO2/Al2O3薄膜之间较大的导带补偿.由此可以看出,多层HfO2/Al2O3薄膜基电荷陷阱存储器件是一种极具应用前景的电荷存储结构.
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