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根据电化学C-V测量AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N+-N与P+-P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED工作电压的另一大因素,并提出了进一步降低LED工作电压的有效措施.
调制掺杂同型结对HB—LED工作电压的影响
【摘 要】
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根据电化学C-V测量AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N+-N与P+-P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,华南师范大学MOCVD实验室
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2001年3期
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