基于SOI基底的高通量细胞电融合芯片

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提出了一种以MEMS技术为基础,可在低电压驱动条件下工作的创新型细胞电融合芯片.该芯片的设计原理在于通过缩短微电极间的间距,在低电压条件下获得足够强度的排队和融合电场强度.原型芯片以SOI硅片为加工材料,通过刻蚀方式在顶层低阻硅形成微电极和微通道;在微电极上沉淀2μm厚的铝膜以降低电阻率,提高导电性;通过PECVD方法形成150nm厚SiO2保障铝膜的抗腐蚀性及芯片生物相容性;芯片最终采用DIP法进行封装.在该芯片上进行了低电压(传统电融合设备工作电压的1/20)驱动条件下的基于介电电泳的细胞排队实验及后
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