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利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、傅立叶红外吸收（FTIR）光谱、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）和光致发光谱（PL）对样品进行了分析表征。结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响。简单讨论了GaN纳米线的生长机理。