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超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求。本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究，讨论了时间传递扩展（ＴＴＳ）和峰值响应时间（ｔＭ）。超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增大，薄膜表面位垒的下降可使光电灵敏度提高，但光电子的时间响应因增加而会变差。本文以Ａｇ－Ｏ－Ｃｓ薄膜为例，计算了不同情况下光电子从Ａｇ超微粒子穿过Ｃｓ２Ｏ半导体层跃迁到真空的时间响应，得到该薄