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研究表明,采用UV/Fenton均相光催化氧化体系降解印制电路板脱膜废液效果好.在H2O2用量为1倍理论药量,Fe':H2O2(摩尔比)=1:20,光照时间为80 min,脱膜废液COD去除率可达80%.光助芬顿体系降解脱膜废液的诸多影响因素中,重要性次序依次为H2O2投药比>FeSO4/H2O2的比值>光照时间.