【摘 要】
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用ＭＯＣＶＤ多源法在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ复合衬底上沉积了厚～０．３μｍ的ＹＢＣＯ膜．ＹＳＺ过渡层分别用双离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）和金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）两种方法制备．结果表明，ＩＢＡＤ－ＹＳＺ过渡层的晶粒呈双轴择优取向结构，所沉积的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ０～９０Ｋ，Ｊｃ（７７，０Ｔ）～４．５×１０４Ａ／ｃｍ２，而ＭＯＣＶＤ－ＹＳＺ过渡
【机 构】
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中科院上海冶金研究所,中科院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
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用ＭＯＣＶＤ多源法在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ复合衬底上沉积了厚～０．３μｍ的ＹＢＣＯ膜．ＹＳＺ过渡层分别用双离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）和金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）两种方法制备．结果表明，ＩＢＡＤ－ＹＳＺ过渡层的晶粒呈双轴择优取向结构，所沉积的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ０～９０Ｋ，Ｊｃ（７７，０Ｔ）～４．５×１０４Ａ／ｃｍ２，而ＭＯＣＶＤ－ＹＳＺ过渡层的晶粒取向为以（Ｌ００）为主的混向结构，在其上沉积的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ０～８９Ｋ，Ｊｃ（７７Ｋ，０Ｔ）～１．２×１０３Ａ／ｃｍ２．同时亦报导了在（１
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