GaxIn1—xAs1—ySby合金的MOCVD生长

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mipanglin

【摘要】

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用水平常压MOCVD系统生长了2—4μm波段的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y合金.气相源包括三甲基镓、三甲基铟,三甲基锑(TMGa、TMIn、TMSb)及砷烷(AsH_3).研究了富GaSb的Ga_xIn_(1-

【作者】

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周天明张宝林

【机构】

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中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所长春130021,长春130021,长春130021

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

1992年2期

【关键词】

：

合金 MOCVD GAINASSB

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用水平常压MOCVD系统生长了2—4μm波段的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y合金.气相源包括三甲基镓、三甲基铟,三甲基锑(TMGa、TMIn、TMSb)及砷烷(AsH_3).研究了富GaSb的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的生长特性.发现Ⅴ族源输入绝对量影响Ⅴ族元素的分布系数及Ⅲ族源的利用效率.这表明表面反应动力学对生长有一定影响.固相组分由微电子探针测量.用光致发光、红外吸收技术对合金进行了表征.光致发光光谱半高宽,在2.13μm处仅为30meV.用光致发光,红外吸收

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