【摘 要】
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研制了一款C波段连续波大功率GaN内匹配功率管。设计采用4个12 mm栅宽GaN高电子迁移率(HEMT)管芯合成输出,功率管总栅宽4 mm×12 mm。利用负载牵引(Load-pull)和大信号建模技
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研制了一款C波段连续波大功率GaN内匹配功率管。设计采用4个12 mm栅宽GaN高电子迁移率(HEMT)管芯合成输出,功率管总栅宽4 mm×12 mm。利用负载牵引(Load-pull)和大信号建模技术提取GaN管芯阻抗,根据管芯阻抗进行匹配电路设计。电路设计充分考虑合成损耗等因素的影响,研制的连续波GaN内匹配功率管在4.4~5.0 GHz频段内输出功率200 W以上,功率增益10 d B以上,功率附加效率超过50%。
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