论文部分内容阅读
在表面外延生长9μm的n型层的磷重掺杂的硅基底n—n+一Si)结构上沉积约40nm铂(Pt),经氩气保护673K热处理30min作为半导体电极(Pt/n—n+-Si)。将半导体电极和铁氰化钾、硫酸镍以及硝酸钠的溶液接触,沉积出稳定的铁氰化镍(NiHCF)薄膜。复合电极与Pt电极组成光电化学电池,在零偏电压条件下,通过测量该电池的光电流可检测过氧化氢。通过循环伏安和X-光电子能谱对NiHCF薄膜进行了分析与表征。