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主要阐述了电荷泵技术在14VHVMOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法，我们可以精确描述器件损伤的位置和程度，以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化，为器件优化与工艺改进提供重要参考信息。
电荷泵技术在高压MOS晶体管可靠性研究中的应用
【摘 要】
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主要阐述了电荷泵技术在14VHVMOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法，我们可以精确描述器件损伤的位置
【机 构】
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上海集成电路研发中心,华东师范大学
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2009年6期
【基金项目】
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This work was supported by Foundation of Shanghai Science ＆ Technology Committee Grants 075007033 and 08706200802.上海市科委启明星项目资助（07QBl4018,08706200802）
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