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提出一种采用微分电导法（R□）分别检测实验样品和陪测样品的R□，同时引入α和αn因子分别评估自掺杂多晶硅生长前Si表面清洗状况（SIS层厚度）和自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及杂质在POLY／SIS／Si界面流动情况。通过实际检测发现这种方法可以定性判断SIS厚薄和了解自杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及可以半定量估算出自掺杂多晶硅杂质流向N^-层或N^+层流向自掺杂多晶硅层的杂质总量。