正方形纳米线及纳米孔阵列辐射特性研究

来源 :工程热物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chen19107
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晶体硅纳米线及纳米孔阵列结构不仅有着优异的增吸收特性,而且与传统的硅膜电池相比能大幅降低原料成本,因而在光伏市场中有着巨大发展前景。本文采用严格耦合波分析(RCWA)研究了晶体硅正方形纳米线和纳米孔阵列结构的辐射特性,证明了两种结构的应用潜力。在AM1.5太阳能光谱辐射强度下,纳米线和纳米孔阵列结构最终效率都大于24%,高出同等厚度晶体硅薄膜70%P以上。两种纳米结构在周期600 nm附近达到最高,其中纳米线阵列结构有着更低的最优填充率。不同角度混合极化入射下,两种结构的最终效率能够维持在大的角度范围内(0~60°),表现了良好的角度特性。 Crystalline silicon nanowires and nanopore array structure not only have excellent absorption and absorption characteristics, but also significantly reduce the cost of raw materials compared with the traditional silicon membrane battery, which has great development prospects in the photovoltaic market. In this paper, we have studied the radiation characteristics of crystalline silicon nanowires and nanopore array structures by using the coupled wave analysis (RCWA), and proved the potential of the two structures. Under AM1.5 solar spectral irradiance, the final efficiencies of the nanowire and nanopore array structures were both greater than 24%, higher than 70% P of the same thickness crystalline silicon thin film. The two nanostructures reach the maximum around 600 nm, and the nanowire array structure has a lower optimum filling rate. Under the mixed polarization of different angles, the final efficiency of the two structures can be maintained in a wide range of angles (0 ~ 60 °), showing good angular characteristics.
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