高纯砷是制备砷化镓、砷化铟等半导体材料的重要原料.我司采用气相-氯化还原法工艺以金属砷(As≥99.7％,Sb≤0.09％)作为原料制备高纯砷.改用二次资源高锑金属砷(As≥99.3％,Sb≤0.60％)为真空升华原料在多个方面具有重要意义.本文从生产实践出发,对砷与各杂质元素纯物质蒸气压进行简要分析,并对砷蒸汽沉积结晶中所含主要杂质元素锑、铋、硫的分布和其表、截面形态与所处梯度温场内位置的关系初步总结;以及研究如何提高产品品质.提出砷蒸汽在钛结晶器内表面沉积结晶过程为,若干种砷蒸汽组分以特定温度为沉积中心并以一定的优先顺序依次呈正态分布样沉积结晶并相互叠加的观点.通过调整生产工艺实现二次资源高锑金属砷降锑提质.结果表明,在以较低的恒温加热温度将金属砷真空升华有助于提高产品品质,最高至99.98％,锑的去除率达92.5％;对高锑金属砷可将其锑含量降至0.08％内,综合品质最高至99.90％,锑的去除率在80％以上.