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以Cr／Ag／Cr金属膜系为电极，电子束蒸发镁橄榄石（2MgO·SiO2）膜为绝缘介质，在陶瓷基片（表面较粗糙）上制备了MIM结构无机集成薄膜电容。光学显微镜和扫描电镜分析显示，电容的绝缘强度和介电性能主要取决于介质膜致密程度。沉积后适当的热处理有助于改善电容性能，但过度的热处理却可能导致由晶化和扩散引起的负面作用。所得电容击穿场强达到了10^7V／m以上，5MHz频率tanδ为0．01。