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本文借助蒙特卡罗程序SRIM研究了氢氦离子的入射能量和离子数量对铍材料表面溅射行为的影响。分析结果表明,同一种类入射离子在铍中的射程随入射离子的能量增加而增加,铍材料表面的溅射率随入射能量的增加而减小。在相同入射能量下,氢离子在铍中的射程比氦离子更长,而氢离子辐照造成的铍表面溅射率比氦离子更小。在本文的模拟范围内,入射离子的数目对氢氦离子在铍中的射程没有造成显著影响。