【摘 要】
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用射频/直流溅射法研制了铌掺杂TiO2透明导电薄膜。实验结果表明:Nb以正五价态掺入TiO2晶格中,随着Nb掺杂量的逐渐增加,薄膜的电阻率出现先降后升的变化,在掺杂溅射功率为40
【机 构】
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郑州大学材料科学与工程学院; 河南教育学院化学系;
【基金项目】
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河南省科技攻关项目资助(142102210068)
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用射频/直流溅射法研制了铌掺杂TiO2透明导电薄膜。实验结果表明:Nb以正五价态掺入TiO2晶格中,随着Nb掺杂量的逐渐增加,薄膜的电阻率出现先降后升的变化,在掺杂溅射功率为40 W时,薄膜电阻率降至7.3×10-4Ω·cm,可见光透过率高达86%以上。并且,Nb掺杂使TiO2薄膜的吸收限产生了蓝移,随着Nb掺杂量的增加,薄膜蓝移程度逐渐增大,说明该TiO2薄膜为n型掺杂。研究认为,控制Nb掺杂量达最佳时,使晶格中产生较多的载流子,以及良好晶体结构产生较大的载流子迁移率,能使Nb掺杂TiO2透明导电薄膜的性能参数得到有效改善。
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