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报道了一种具有平顶陡边响应的谐振腔增强型 (RCE)光电探测器。使用数值模拟的方法对这种新型谐振腔增强型 (RCE)光电探测器与传统的RCE光电探测器的响应曲线和串扰特性进行了分析和对比 ,分析了在半导体材料生长时厚度偏差对平顶陡边响应的RCE光电探测器响应曲线的影响 ,还分析了入射光的入射角和偏振态对平顶陡边响应的RCE光电探测器响应曲线的影响