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我们制备出了高温Si单电子晶体管，研究了单电子晶体管的集成原理，实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成和技术，发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力（跨导），利用单电子晶体管的集成方法，建立了对电荷超敏感的探测技术（包括超敏感的库尔计），实现了单电子存储器中的单电子过程的探测，并设计了一种新型的多值存储器。