应变对AlxGa1-xN能带间隙弯曲系数和能带结构的影响

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：get_to_do

【摘要】

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在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能.从理论上分析了在赝形应变下AlG

【作者】

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黄琨范广涵谭春华李述体吴文光李华兵雷勇

【机构】

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华南师范大学

【出处】

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半导体光电

【发表日期】

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2005年4期

【关键词】

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ALXGA1-XN 弯曲系数晶格常数应变 AlxGa1-xN bowing parameter lattice constant strain

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在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能.从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数,并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论结果和实验结果分析比较,得出的能带间隙的弯曲系数与已有文献报道的实验结果相吻合.

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