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基于ZnO，CdS，GaN等半导体纳米线的微纳激光器近年来引起了研究者的广泛关注。目前用来实现微激光器的激光振荡的谐振腔主要有法布里-珀罗（F—P）腔、赝环形腔等。在这些研究中，半导体纳米线不仅作为增益介质，而且是激光谐振腔的主体。由于纳米线直径较小且存在衬底，在纳米线结构外面的倏逝波会从纳米线的边缘扩散出去或扩散到衬底中，从而引起较强的损耗，限制谐振腔的品质因子（Q值），增加激光器的阈值。