980nm高功率应变量子阱阵列激光器的研制

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【摘要】

：

利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器.其有源区采用分别限制单量子阱结构,激射波长在980 nm左右,阵列器件由48个LD构成,在重复

【作者】

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高欣曲轶薄报学

【机构】

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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

【出处】

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光电子·激光

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

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阵列激光器分子束外延 MBE 应变量子阱分别限制单量子阱 FabricationMolecular beam epitaxySemiconducting

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利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器.其有源区采用分别限制单量子阱结构,激射波长在980 nm左右,阵列器件由48个LD构成,在重复频率300 Hz、脉冲宽度200 μs的条件下,室温光功率输出达到20 W,斜率效率1.1 W/A,光电转换效率29 %.

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