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PN结边缘处存在的电场拥挤现象一直是限制器件耐压提升的关键原因。以缓解PN结边缘处的电场拥挤现象为目的,一种具有复合介质层的垂直GaN基梯形二极管被提出。该结构通过高/低K复合介质层在PN二极管的漂移区内部引入一个新的电场峰值调节漂移区的电场分布,从而提高器件的耐压。Silvaco TCAD仿真工具被用于对复合介质结构GaN基梯形二极管的介质层的宽度、高/低K介质层界面与PN结界面之间的距离和梯形二极管的底角等关键参数进行优化设计,优化后双层复合介质结构二极管的击穿电压(BV)达到了4360 V,相比没有