论文部分内容阅读
提出了基于多管并联结构的低功耗低噪声放大器（LNA），讨论了这种结构下噪声与功耗的相互关系，提出了低功耗LNA基于“优化区”概念的设计准则。提出的电路具有结构简单对称的特点。在0．35μm CMOS工艺下进行PSPICE仿真测试。结果表明，新的低噪声放大器在2．5V电压下功耗仅为110μW，等效输入噪声为16．5nV／Hz。与已发表的低噪声放大器比较，具有明显的低功耗特点。