【摘 要】
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研制了一台高速率溅射的ECR等离子体沉积装置.采用微波真空波导及反常模式或输入技术,利用腔内双靶构成的电场镜,使高能γ电子在电场镜中振荡,从而获得高密度的等离子体.并且,导电膜能
【机 构】
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武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室,中科院等离子体物理研究所
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研制了一台高速率溅射的ECR等离子体沉积装置.采用微波真空波导及反常模式或输入技术,利用腔内双靶构成的电场镜,使高能γ电子在电场镜中振荡,从而获得高密度的等离子体.并且,导电膜能连续高速沉积,在2.7×10-2Pa的低气压下,铜膜的沉积速率可达120nm/min.
A high-rate sputtering ECR plasma deposition apparatus was developed. Using microwave vacuum waveguides and anomalous mode or input technology, high-energy γ-electrons are oscillated in an electric field mirror by using an electric field mirror formed by double targets in a cavity to obtain a high-density plasma. And, the conductive film can be continuously deposited at high speed, at a low pressure of 2.7 × 10-2Pa, the deposition rate of the copper film can reach 120nm / min.
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