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为了研究氮气气氛下MgAl2O4／SiC材料的反应性能及硅粉的影响，将添加硅粉前后的MgAl2O4-SiC材料在流动氮气中经1600℃保温3h烧成，对烧结后的试样进行XRD、SEM和EDS分析。研究发现：两者材料的主要物相均为镁铝尖晶石、碳化硅、氮化硅。不添加硅粉的试样中生成的氮化硅呈长径比较大的纤维状，其生长过程符合VS生长机制；添加硅粉后的试样中生成的氮化硅根部呈柱状，顶部呈锥状，其生长是LS和Vs生长机制共同作用的结果。另外，氮化烧成时MgAl2O4／SiC反应界面层中会发生离子互扩散，可能生成少量