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本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn（NH4）3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si（111）衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn（NH4）3Cl5的存在使得Zn（g）和Se2（g）合成ZnS