MOVPE生长的GaN中有关Zn的电致发光特性

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【摘要】

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GaN是制造发蓝光器件的理想材料之一。在蓝宝石(0001)(C-面)衬底上用HVPE法(氢气气相外延法)己生长出GaN单晶。但是,要获得具有无裂痕的表面平滑的高质量GaN薄膜是相当困难的

【作者】

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师庆华

【出处】

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液晶与显示

【发表日期】

：

1989年3期

【关键词】

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电致发光特性 GAN MOVPE ZN 结晶质量气相外延光器件热膨胀系数缓冲层晶格失配

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GaN是制造发蓝光器件的理想材料之一。在蓝宝石(0001)(C-面)衬底上用HVPE法(氢气气相外延法)己生长出GaN单晶。但是,要获得具有无裂痕的表面平滑的高质量GaN薄膜是相当困难的,这是因为在外延膜和衬底之间的热膨胀系数不同以及存在着较刀的晶格失配。在用MOVPE生长GaN之前预先沉积的AlN薄膜缓冲层对改进表面形态及未掺杂GaN膜的结晶质量有明

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