GaAs MESFET微波散射参数计算

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangxiaofengkobe
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
Shur等人提出了用Gunn畴的形成来说明GaAs MESFET中的电流饱和效应.本文叙述了基于这种模式的GaAs MESFET等效电路分析表示式,进而计算S参数.文中用这些结果对具体器件进行了计算,并与测量值比效,两者相当一致. Shur et al. Proposed the formation of Gunn domains to illustrate the current saturation effect in GaAs MESFETs.This paper describes the expression of equivalent circuit of GaAs MESFET based on this mode, and then calculates the S parameters.These results are used for the specific devices The calculation, and the measured value of efficiency, the two are quite consistent.
其他文献
介绍2010年云南省会泽县发生特大干旱情况和抗旱减灾措施及取得的成效。分析引发特大干旱的原因,并对今后水利建设、水资源管理、生态环境等方面提出思考。 Describes the o
理想的N阶多相网络是由N个全通支路构成,各支路具有相同输入,输出端接到一个求和部件,形成整个网络的输出,支路之间的相位差是: The ideal N-order multiphase network is
1999年3月,我县前童镇、深甽镇的油菜发生了较大范围的病害,外形似矮缩病状。根据农户送检的油菜病株,诊断为油菜萎缩不实病。后经实地调查,考查不同硼处理对油菜经济性状的
孙俪不相信爱情,她曾说,这辈子不会嫁人的。她说得那样决然。但是,当她遇到邓超,这个高高大大的阳光男孩儿时,她忽然感到了爱情侵袭的强大力量,有如潮水,一波接一波,让她礁石
控制可控硅的开启角,可将交流电压整流为不同值(平均值)的直流电压,而开启角又可由输入直流电压进行控制,所以可用可控硅做成一种“直流功率放大器”.这种放大器具有简单、
本文简述了器件原理,并给出VHF/UHF硅电调变容管的设计结果.WB30系列VHF/UHF硅电调谐变容二极管,其管芯为双外延台式钝化结构,采用金属陶瓷微带管壳封装.制得的器件,其变容比
我们知道,每门课在教学时都要提高教学效率,我们地理学科也不例外,在教学时也要提高教学效率.下面我就谈谈,在地理教学中如何提高教学效率.
一、前言 电视工程师们早就梦想着研制一种用SAW滤波器取代普通的LC滤波器,而不需在安装线上调整的全固体电视图像中频电路。为什么这个梦想至今还未实现呢?有几种原因:SAW
人事,即用人以治事,选合适的人,做适当的事,使人与事有机结合,以达到人尽其才、事竟其功之目的。人事行政是政府从政权建设和社会经济发展的全局高度,以国家政权的力量,对整
中国共产党的优秀党员,我国著名外科学家、医学教育家,原中华医学会外科学分会副主任委员、《中国实用外科杂志》顾问、《中华外科杂志》名誉主编黄莚庭教授,因病医治无效,于