采用第一性原理贋势平面波方法对(111)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算，全面分析了应变对其能带结构、光学性质的影响。计算结果表明：在-8%~0%压应变范围内，随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动，价带向高能方向移动，带隙逐渐减小，但始终为直接带隙；在0%~2%张应变范围内，随着应变的增加，带隙逐渐增大，应变为2%时直接带隙达到最大Eg=0.60441eV；当张应变为4%时，Ca2P0.25Si0.75变为间接带隙半导体。Ca2P0.25Si0.75的介电常数和折射率随着张应变的增加而增加；施加-2%~0%压应变时，介电常数和折射率逐渐减小，到达-2%时达到最小值，此后随着压应变的增加介电常数和折射率逐渐增大。施加压应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而减小，施加张应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而增大。应变可以改变立方相Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数，是调节其光电传输性能的有效手段。