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报道了用ＳＴＥＭ（扫描透射电子显微镜）对ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＳｂ异质结的截面不同部分进行分析和研究的实步结果。ＳＴＥＭ图像表明，在四元合金ＧａＩｎＡｓＳｂ与衬底ＧａＳｂ的晶格常数不相同时，将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错，这些缺陷是对应力的一种释放形式，包括６０°位错、９０°位错和堆垛层错，并且发现只有９０°位错才会在外延层表面产生举脊。