大面积α-MoO_(3)的制备及其存储计算研究进展

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhaihoufu

【摘要】

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近年来,α-MoO3在忆阻器件的研究中得到广泛关注,其中氧含量的变化导致电阻率的改变,以及独特的层状结构有利于各种离子的插层从而调节电导,因此其在离子栅结构的突触晶体管

【作者】

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单欣王芳 †胡凯魏俊青林欣赵轩宇周宝增张楷亮

【机构】

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天津理工大学材料科学与工程学院,天津理工大学电气电子工程学院,天津大学微电子学院

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2021年9期

【关键词】

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α-MoO_3 大面积制备存储计算神经形态器件

【基金项目】

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天津市自然科学基金(批准号:18JCZDJC30500,17JCYBJC16100,17JCZDJC31700),国家自然科学基金(批准号:61404091,61274113,61505144,51502203,51502204),天津市科技计划项目(批准号:20ZYQCGX00070),信息功能材料国家重点实验室开放课题(批准号:SKL202007),国家重点研发计划(批准号:2017YFB04

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近年来,α-MoO₃在忆阻器件的研究中得到广泛关注,其中氧含量的变化导致电阻率的改变,以及独特的层状结构有利于各种离子的插层从而调节电导,因此其在离子栅结构的突触晶体管的研究中发挥出重要作用.本文主要对层状α-MoO₃的基本性质、二维层状α-MoO₃的大面积制备方法和特性及其在存储计算领域的应用进展进行了分析.首先阐述了α-MoO₃的晶体结构、能带结构以及缺陷态.对比了大面积α-MoO₃的制备方法

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