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数值模拟表明,薄膜全耗尽(FD)SOI器件的电位和电场分布,与较厚的部分耗尽(PD)SOI器件中所观测到的大不相同;漏电场和源势垒的降低使扭曲效应大为减小。
薄膜SOI MOSFET中扭曲效应的减少
【摘 要】
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数值模拟表明,薄膜全耗尽(FD)SOI器件的电位和电场分布,与较厚的部分耗尽(PD)SOI器件中所观测到的大不相同;漏电场和源势垒的降低使扭曲效应大为减小。
【机 构】
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HP公司实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1989年5期
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