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用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体——低温InGaAs(LT-In0.25Ga0.75As)，用这种吸收体兼做输出镜，实现了1．06μm半导体端面泵浦Nd：YAG激光器被动锁模，脉冲宽度为皮秒量级，重复率为150MHz。
半导体激光器端面泵浦Nd：YAG激光器用In0.25Ga0.75As吸收体被动锁模兼做输出镜
【摘 要】
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用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体——低温InGaAs(LT-In0.25Ga0.75As)，用这种吸收体兼做输出镜，实现了1．06μm半导体端面泵浦Nd：YAG激光器被动锁模，脉冲宽度为皮秒量
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京工业大学激光工程学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年12期
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