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在原有设计以及工艺的基础上，采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺，器件工作电压大幅度提高，截止漏电流降低约两个数量级，跨导提高1．5mS／mm。2GHz下测试，微波功率附加效率提高10％左右，增益平均提高了2dB，在VDs=60V的条件下单管功率输出达到了86．5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好，在250W的输出功率下，器件仍然保持高达10．5dB的高增益，功率附加效率30％。台阶仪和扫描电镜观测表明，台阶高度已经大大降低，侧壁得到了钝化，尖锐突起和凹坑都已经变得平