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本文对BeⅢ试剂与Ga络合物的吸附波极谱性质及机理进行研究,发现Ga和BeⅢ在-0.485V(S.C.E)处出现一个稳定的新波.在浓度为0.2μg/25mL-20μg/25mL范围,波高与浓度有良好的线性关系.
镓的示波极谱分析机理研究
【摘 要】
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本文对BeⅢ试剂与Ga络合物的吸附波极谱性质及机理进行研究,发现Ga和BeⅢ在-0.485V(S.C.E)处出现一个稳定的新波.在浓度为0.2μg/25mL-20μg/25mL范围,波高与浓度有良好的线
【机 构】
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中国铝业河南分公司研究所
【出 处】
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轻金属
【发表日期】
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2003年4期
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