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硅光电池与电荷耦合器件(CCD)均可作为光电探测器,但在测量光强时由于结构和制造过程的不同具有各自优势.从结构和基础差异的角度,结合测量激光参数,对二者的探测性能进行了比较.
硅光电池与电荷耦合器件测量光强性能比较
【摘 要】
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硅光电池与电荷耦合器件(CCD)均可作为光电探测器,但在测量光强时由于结构和制造过程的不同具有各自优势.从结构和基础差异的角度,结合测量激光参数,对二者的探测性能进行了
【机 构】
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郧阳师范高等专科学校
【出 处】
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郧阳师范高等专科学校学报
【发表日期】
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2006年6期
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